英飞凌SSO8无铅封装的全新OptiMOS 3系列

2008年5月23日，德国Neubiberg和中国深圳讯——英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）今日在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET，在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO（晶体管外形）封装相比，可使功率密度增大50%，特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。举例来说，这种采用SuperSO8封装的器件可以只用20%的占位空间提供与D2-Pak封装相同的通态电阻。

“该无铅结构封装具备较低的封装寄生电阻和电感，最大程度降低了对整个器件性能的影响，便于充分利用OptiMOS 3硅技术功能。”英飞凌电源管理与驱动产品事业部负责人Gerhard Wolf指出。

全新OptiMOS 3系列可提供出类拔萃的通态电阻，OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8封装具备最低1.8 毫欧的通态电阻，OptiMOS 3 60V采用SuperSO8封装具备最低2.8 毫欧的通态电阻，OptiMOS 3 80V采用SuperSO8封装具备最低4.7 毫欧的通态电阻，与最接近的竞争性产品相比，通态电阻降幅高达50%，为业界树立了新标杆。这些器件的FOM（品质系数，以通态电阻乘以栅极电荷得出）与采用标准TO封装的同类产品相比高出25%，能够更快速实现开关，同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗，提高功率密度，降低驱动器散热量。SuperSO8封装寄生电感不到0.5nH，比TO-220封装的5-10nH电感低很多，这进一步提升了器件整体效率，最大程度上减少在开关条件下的振荡现象。SuperSO8封装高度为1mm，Rth-jt （结至顶端的热阻）低于16°K/W，适用于嵌入式系统顶部冷却解决方案或立式安装在3D集成系统里的PCB模块。

“作为全球功率半导体领域的技术领袖，英飞凌引领超小封装潮流，使通态电阻降低高达50%。”英飞凌电源管理与驱动产品事业部负责人Gerhard Wolf指出，“我们利用在功率半导体制造和封装方面的领先技术，使功率半导体具备一流的效率和开关特性、更高的功率密度以及出色的性价比，从而大大降低系统成本。”