IR推出工业用认证之MOSFET,能改善导通电阻达50%, 减低整体系统成本

发布时间:2010-07-13
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全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻 (RDS (on)) 的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、DC-AC转换器及电动工具等工业应用。

新MOSFET的通态电阻 (RDS (on)) 能效比同类产品高出达50%,无需工业应用中通常使用的大型及昂贵封装,有助于节省总系统成本。此外,低RDS (on) 可降低导通损耗,并提升系统效率。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“这个系列的卓越RDS (on) 额定值,可让设计人员避免使用大电流工业应用中,往往因散热需要的大而昂贵的ISOTOP或小型BLOC封装,使系统成本降低50%。”

全新N沟道MOSFET系列可提供40V至200V电压,也符合工业级及MSL1要求。新MOSFET均不含铅并符合电子产品有害物质限制 (RoHS) 指令。


 

*封装限制

各款全新MOSFET已经开始供货。产品详细资料可浏览IR网址:www.irf.com。

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